Note ABES Comportement de quelques impuretés métalliques dans le germanium : une étude par les techniques capacitives DLTS-MCTS-LAPLACE DLTS Behavior of some metallic impurities in germanium : investigation by transient spectroscopy methods - Deep Level Transient Spectroscopy-Minority Carrier Transient Spectroscopy - Laplace Deep Level Transient Spectroscopy Germanium DLTS Laplace DLTS MCTS Electronic properties Defects Transition Metals 620.18 621.38 Semiconducteurs -- Diffusion des impuretés Germanium Défauts Diodes à barrière de Schottky Métaux de transition Spectroscopie Ce travail consiste en une tentative de ré-examiner les propriétés électroniques du Fe, Cr et Au au sein de Ge, qui ont déjà été étudiées classiquement par DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). L'image générale qui en découle est que les métaux de transition dans Ge forment de manière prépondérante des centres accepteurs multiples, introduisant plusieurs niveaux profonds dans la bande de gap. A partir d'un modèle de liaison de valence simple, cette conclusion est en accord avec une survenue des impuretés sur des sites de substitution. Cependant, plusieurs questions demeurent ouvertes, comme le rôle de l'hydrogène en tant que contaminant dans l'élargissement des spectres DLTS. Notre contribution se base sur l'utilisation d'une approche plus performante nommée Laplace DLTS, en ce sens qu'elle autorise une meilleure résolution du signal. Nous présentons une analyse extensive par DLTS, MCTS et Laplace DLTS, afin d'étudier les propriétés électroniques des états accepteurs multiples, induits par les 4 métaux de transition sus-nommés. On distingue, parmis les paramètres étudiés, les barrières de capture des porteurs, les vraies sections efficaces de capture de sporteurs majoritaires (déterminées directement par la méthode de variation du pulse de remplissage), L'effet Pool-Frenkel (en lien avec la détermination de l'état de charge du niveau concerné). Ceci permet d'indiquer avec précision la position exacte des niveaux dans la bande interdite. Nous confirmons la plupart des résultats mis en évidence précédemment, tout en ajoutant quelques précisions sir le rôle de l'hydrogène dans la formation de nouveaux complexes. Une mise en parallèle avec le silicium. Dans le cas de Au, de nouveaux niveaux attribués aux complexes Au-Hn et Au-Sb sont observés. De manière générale, l'analyse des porteurs majoritaires et minoritaires par MCYS est toujours sujette à étude. En ce qui concerne le cas du Fe, la faible différence d'énergie entre ses deux niveaux soulève la possibilité d'un caractère de type U-négatif. L'ensemble de ses points devraient faire l'objet d'un travail approfondis dans un avenir proche. The present work is an attempt to re-examine the electronic properties of Fe, Ni Cr and Au in Ge which have been already studied by conventional DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). A general picture, that emerged, is that transition metals in Ge predominantly form multiple-acceptor centres, introducing several deep levels in the band gap, which according to a simple valence bond model is in agreement with a preferential occurrence of the impurities on substitutional sites. However, some questions remained open such as the role of hydrogen as a natural contaminant in the broadening of the DLTS spectra. Our contribution is based on the use of a more powerfull approach called Laplace DLTS in the sense that it allows a better resolution of the signal. We present extensive DLTS, MCTS and Laplace DLTS results to investigate the electronic properties of the multi-acceptor states, induced by mentioned four transition metals. Among the studied parameters we may cite the barrier for carrier capture, the true majority carrier capture cross section directly measured by the variable pulse length method, the Poole-Frenkel effect related to the assignment of the charge states - all these parameters are important to locate the level positions in the band gap. We confirm in the present work most of the results obatained in the past, adding some insight into the role of hydrogen in the formation of new complexes and in this respect a parallel is made with silicon. In case of Au new levels attributed to conjectural Au-Hn and Au-Sb complexes are observed. In addition development of both majority and minority carriers in MCTS analysis still is under consideration. For the Fe case, the small difference in energy of its two levels raises the question as to the possibility of negative-U character. These mentioned points should be treated more thoroughly in a future work. Electronic Thesis or Dissertation Text en PDF 3463697 Université de Strasbourg Strasbourg 2012-12-31 https://theses.hal.science/tel-00734375 application/pdf 2501684 https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2012/Gurimskaya_Yana_2012_ED269.pdf http://www.theses.fr/2012STRAD008/abes https://theses.hal.science/tel-00734375 https://theses.hal.science/tel-00734375 Gurimskaya Yana 1982-09-10 FR 163981701 40813731 https://theses.fr/2012STRAD008 2012STRAD008 https://doi.org/10.70675/fd289723zf6d7z4b48z83d6z31b4a8122fcb 2012-05-31 Physique des semi-conducteurs Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Mathiot Daniel MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 157421597 Mesli Abdelmadjid MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_2 144693143 Heiser Thomas MADS_PRESIDENT_DU_JURY Kruszewski Piotr MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 Regula Gabrielle MADS_RAPPORTEUR_1 Bremond Georges MADS_RAPPORTEUR_2 École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 MA 156504863 Institut d’électronique du solide et des systèmes (Strasbourg) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 UMR 7163 157751422 93725 ddc:620 Mathiot Daniel Mesli Abdelmadjid Heiser Thomas Kruszewski Piotr Regula Gabrielle Bremond Georges École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....) Institut d’électronique du solide et des systèmes (Strasbourg) PDF 3463697