Note ABES Study and improvement of radiation hard monolithic active pixel sensors of charged particle tracking Etude et amélioration de capteurs monolithiques actifs à pixels résistants aux rayonnements pour reconstruire la trajectoire des particules chargées Durcissement aux rayonnements Effets des rayonnements intenses MAPS (Monolithic Active Pixel Sensors) Expériences en PHE (Physique des Hautes Énergies) SRAM (Static Random Access Memory) High Energy Physics Experiments Radiation Effects MAPS (Monolithic Active Pixel Sensors) Radiation Hardening SRAM (Static Random Access Memory) 539.2 539.76 Détecteurs de rayonnement MOS complémentaires Physique des hautes énergies Capteurs d'images à pixels actifs Les capteurs monolithiques actifs à pixels (Monolithic Active Pixel Sensors, MAPS) sont de bons candidats pour être utilisés dans des expériences en Physique des Hautes Énergies (PHE) pour la détection des particules chargées. Dans les applications en PHE, des puces MAPS sont placées dans le voisinage immédiat du point d’interaction et sont directement exposées au rayonnement intense de leur environnement. Dans cette thèse, nous avons étudié et amélioré la résistance aux radiations des MAPS. Les effets principaux de l’irradiation et le progrès de la recherche sur les MAPS sont étudiés tout d'abord. Nous avons constaté que les cœurs des SRAM IP incorporées dans la puce MAPS limitent sensiblement la tolérance aux radiations de la puce MAPS entière. Aussi, pour améliorer la radiorésistance des MAPS, trois mémoires radiorésistantes sont conçues et évaluées pour les expériences en PHE. Pour remplacer les cœurs des IP SRAM, une SRAM radiorésistante est développée sur une petite surface. Pour les procédés de plus petit taille de grille des transistors, dans lequel les effets SEU (Single Event Upset) deviennent significatifs, une SRAM radiorésistante avec une tolérance SEU accrue est réalisée à l’aide d’un algorithme de détection et de correction d'erreurs (Error Detection And Correction, EDAC) et un stockage entrelacé des bits. Afin d'obtenir une tolérance aux rayonnements et une densité de micro-circuits plus élevées, une mémoire à double accès avec une cellule à 2 transistors originale est développée et évaluée pour des puces MAPS futures. Enfin, la radiorésistance des puces MAPS avec des nouveaux procédés disponibles est étudiée, et les travaux futurs sont proposés. Monolithic Active Pixel Sensors (MAPS) are good candidates to be used in High Energy Physics (HEP) experiments for charged particle detection. In the HEP applications, MAPS chips are placed very close to the interaction point and are directly exposed to harsh environmental radiation. This thesis focuses on the study and improvement of the MAPS radiation hardness. The main radiation effects and the research progress of MAPS are studied firstly. During the study, the SRAM IP cores built in MAPS are found limiting the radiation hardness of the whole MAPS chips. Consequently, in order to improve the radiation hardness of MAPS, three radiation hard memories are designed and evaluated for the HEP experiments. In order to replace the SRAM IP cores, a radiation hard SRAM is developed on a very limited area. For smaller feature size processes, in which the single event upset (SEU) effects get significant, a radiation hard SRAM with enhanced SEU tolerance is implemented by an error detection and correction algorithm and a bit-interleaving storage. In order to obtain higher radiation tolerance and higher circuitry density, a dual-port memory with an original 2-transistor cell is developed and evaluated for future MAPS chips. Finally, the radiation hardness of the MAPS chips using new available processes is studied, and the future works are prospected. Electronic Thesis or Dissertation Text en PDF 21895458 Université de Strasbourg Strasbourg 2014-12-31 https://theses.hal.science/tel-00953382 application/pdf 21651021 https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2012/Wei_Xiaomin_2012_ED182.pdf http://www.theses.fr/2012STRAE044/abes https://theses.hal.science/tel-00953382 https://theses.hal.science/tel-00953382 https://theses.hal.science/tel-00953382 Wei Xiaomin 1984-10-10 FR 174634536 40813851 https://theses.fr/2012STRAE044 2012STRAE044 https://doi.org/10.70675/34a683d2z185fz4d01z89d2zdc1c0475ce72 2012-12-18 Instrumentation et microélectronique Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Hu Yann MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 072150033 Gao Deyuan MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_2 150582536 Paindavoine Michel MADS_PRESIDENT_DU_JURY 059655720 Wei Tingcun MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 Hu-Guo Christine MADS_MEMBRE_DU_JURY_2 Chen Guican MADS_RAPPORTEUR_1 École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 PH 156500019 Institut pluridisciplinaire Hubert Curien (Strasbourg ; 2006-....) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 157760502 93777 ddc:530 Hu Yann Gao Deyuan Paindavoine Michel Wei Tingcun Hu-Guo Christine Chen Guican École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....) Institut pluridisciplinaire Hubert Curien (Strasbourg) PDF 21895458