Utilisation de capteurs CMOS rapides pour l'imagerie X à très haute sensibilité
Langue Français
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Auteur : Bachaalany, Mario
Date de soutenance : 07-12-2012

Directeur(s) de thèse : Winter, Marc - Baudot, Jérôme

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Institut pluridisciplinaire Hubert Curien (Strasbourg ; 2006-....)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
 
Discipline : Physique des particules élémentaires
Classification : Physique

Mots-clés libres : Rayons X, Photons uniques, Capteurs à pixel CMOS, Imagerie par comptage
Mots-clés :
  • Détecteurs à semiconducteurs
  • MOS complémentaires
  • Capteurs d'images à pixels actifs
  • Rayons X
Résumé : Cette étude évalue le potentiel, comme détecteur de rayons X, des capteurs à pixel CMOS conçus pour la trajectométrie des particules chargée. Nous démontrons l’intérêt de la construction d’une image par comptage de photons uniques pour la définition de celle-ci. Un dispositif exploitant une source X est développé pour mesurer la résolution spatiale sur l’impact des photons. Une simulation complète sous GEANT4 montre que le système permet d’estimer cette résolution avec une incertitude de 2 µm. L’application du protocole caractérise la détection directe des rayons X de basse énergie (< 10 keV) par un capteur CMOS avec une résolution de 52 lp/mm. Une méthode de détection indirecte, couplant un cristal de CsI(Tl) finement segmenté au capteur CMOS, est employée pour les énergies supérieures à 10 keV. La résolution spatiale dans ces conditions atteint 15 lp/mm. Une simulation détaillée explique cette performance limitée par les caractéristiques d’émission de lumière du cristal employé.
 
Type de contenu : Text, InteractiveResource
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2012STRAE047
Type de ressource : Thèse