Elaboration et caractérisation de transistors organiques à effet de champs à base de fils moléculaires pour des applications capteurs.
Langue Anglais
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse soumise à l'embargo de l'auteur jusqu'au 30/09/2014 (communication intranet).
 
Auteur : Lienerth, Peter
Date de soutenance : 31-01-2014

Directeur(s) de thèse : Heiser, Thomas

Président : Doudin, Bernard
Rapporteur(s) : Malliaras, George - Leifer, Klaus
Membre(s) du jury : Serein-Spirau, Françoise

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....)
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Physique des semi-conducteurs
Classification : Physique, Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Transistors organique à effet de champ, Capteurs du gaz, Nano transistors, Vapeur polaire, P3HT, Réponse dynamique
Mots-clés :
  • Semiconducteurs organiques
  • Transistors à effet de champ
  • Plasmas (gaz ionisés)
  • Semiconducteurs -- Effets des plasmas
  • Capteurs (technologie)
Résumé : Il est reconnu que la structure des semi-conducteurs organiques influence la sensibilité et la sensitivité des capteurs des gaz. Pour améliorer la compréhension des mécanismes sous-jacents dans les capteurs à base des transistors d’effet de champ organique (OFETs) cette thèse a exploré trois pistes différentes : L’utilisation de l’hystérésis des caractéristiques de transfert comme paramètre de détection des gaz est étudié. En ajoutant l’hystérésis aux paramètres standards, on améliore la sélectivité des OFETs à base de poly(3-hexylthiophène) aux gaz polaires. Des mesures transitoires de courant indiquent que la cinétique de piégeage et de piégeage des porteurs de charges est à l’origine de cette amélioration. Pour comprendre l’influence qu’à la structure moléculaire sur la sensibilité aux vapeurs d’éthanol, des polymères avec des chaînes latérales alcoxyle dont on fait varier la polarité ainsi que l’encombrement stérique, ont été étudiés. L’intensité de la réponse est corrélée avec la quantité d’analyte absorbée et le moment dipolaire des chaînes latérales. Pour permettre l’étude des mécanismes à l’échelle nanométrique, une partie de ce travail se concentre sur la fabrication de transistors avec une taille de canal réduite. En utilisant le nitrure de silicium comme couche diélectrique, on réduite les tensions de commande et les propriétés chimiques à l’interface.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2014STRAD003
Type de ressource : Thèse