Note ABES Etude de l'intégration de vias traversants réalisés par MOCVD en vue de l'empilement en 3D des composants microélectroniques Study of through silicon via (TSV) integration realised by MOCVD for 3D stacking of microelectronics components 3D-IC TSV TiN Cu IPVD MOCVD Barrière Couche d’accroche Caractérisation 3D-IC TSV TiN Cu IPVD MOCVD Barrier layer Seed layer Characterization 621.38 MOS complémentaires Dépôt en phase vapeur Microélectronique Matériaux Modélisation tridimensionnelle Ces dernières années, l’évolution de la taille des circuits intégrés a été dirigée par la loi de Moore conduisant à des noeuds technologiques de 22 nm et en-deçà. Cependant, les problématiques de performances, de taille et de coût des composants rendent cette conjecture difficile à suivre. La tendance de diversification appelée « More than Moore » consiste à intégrer des fonctions analogiques avec des technologies CMOS dans le but d’optimiser les coûts.L'une de ses technologies clés est le TSV, qui maintient le contact entre deux niveaux de composants. Leurs facteurs de forme devenant de plus en plus élevés, les techniques de dépôts standards par iPVD sont proches de leurs limites. De plus, les méthodes de caractérisation usuelles ne sont pas adaptées à ces structures.La première partie de cette thèse sera dédiée au développement des procédés de dépôt de la barrière de diffusion du cuivre par MOCVD à basse température pour s’adapter aux divers schémas d'intégration de type via middle et via last. La deuxième partie sera consacrée à l’élaboration des protocoles avancés de caractérisation des films dans ces structures afin d’étudier leurs comportements en intégration. For the past years, Moore’s law has pointed mainstream microelectronics, driving integrated circuits down to 22 nm and below. Yet, performance, dimension and cost issues make it difficult to follow the trend. Integrating analog functions into CMOS-based technologies enables cost-optimized systems solutions. These diversified tendencies are known as “More than Moore”. One of the key technologies of this trend is the TSV, which maintains the contact between two components.The increasing aspect ratio of via made it critical to obtain a continuous, conformal coverage of the copper diffusion barrier layer using iPVD.In the first part of this thesis, a promising deposition technique by MOCVD has been developed at low temperature to fulfill various integration schemes including via last and via middle processes.Characterizations of the behavior of these materials in the TSV then became a great challenge in order to handle the integration protocol. Working at theses scales makes standard methods limited to evaluate the intrinsic properties inside the TSV. In the second part, the implementations of advanced characterization into these structures were carried out. Electronic Thesis or Dissertation Text fr PDF 27323894 Université de Strasbourg Strasbourg 2016-12-31 https://theses.hal.science/tel-01275135 application/pdf 24522251 https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2014/Djomeni-Weleguela_Monica-Larissa_2014_ED269.pdf http://www.theses.fr/2014STRAD013/abes https://theses.hal.science/tel-01275135 https://theses.hal.science/tel-01275135 https://theses.hal.science/tel-01275135 https://theses.hal.science/tel-01275135 Djomeni Weleguela Monica Larissa 1987-07-02 CM 191404489 https://theses.fr/2014STRAD013 2014STRAD013 https://doi.org/10.70675/bfbcfc2azbde5z495dz9a30zdd6fb20729d8 2014-12-15 Electronique, microélectronique, photonique Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Mathiot Daniel MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 157421597 Turek Philippe MADS_PRESIDENT_DU_JURY 077771796 Haxaire Katia MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 191404551 Joubert Olivier MADS_RAPPORTEUR_1 074488236 Renevier Hubert MADS_RAPPORTEUR_2 061278920 École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 156504863 Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 176969721 217648 ddc:620 Mathiot Daniel Turek Philippe Haxaire Katia Joubert Olivier Renevier Hubert École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg) Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg) PDF 27323894