Synthèse par faisceaux d'ions de nanocristaux semi-conducteurs fonctionnels en technologie silicium
Langue Français
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Auteur : Khelifi, Rim
Date de soutenance : 05-03-2015

Directeur(s) de thèse : Mathiot, Daniel

Président : Gourbilleau, Fabrice
Rapporteur(s) : Bonafos, Caroline - Rinnert, Hervé
Membre(s) du jury : Duguay, Sébastien - Muller, Dominique

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....)
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Physique et technologie des composants
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Silicium, InAs, GaAs, InxGa1-xAs, Nanocristaux, Dopage
Mots-clés :
  • Nanocristaux semiconducteurs
  • Semiconducteurs -- Dopage
  • Silicium cristallisé
  • Microélectronique - Matériaux
Résumé : Les boîtes quantiques sous formes de nanocristaux semi-conducteurs permettent de réaliser des matériaux à énergie de gap variable, propriété très intéressante pour les composants optoélectroniques. Ce travail est dédié à la création de nanocristaux de silicium dopés enfouis dans SiO2 et de nanocistaux binaires (InAs et GaAs) et ternaires d’InxGa1-xAs enfouis dans Si et à leurs caractérisations structurales, électriques et optiques. La synthèse par faisceaux d’ions permet d’avoir un contrôle de la quantité et de la taille des nanocristaux synthétisés. Des caractérisations structurales ont pu démontrer le dopage des nanocristaux de silicium avec le phosphore et l’arsenic à une concentration atomique moyenne de 8 %. Nous avons également montré la possibilité de moduler la taille et la composition chimique des nanocristaux d’InxGa1-xAs sur une large gamme à l’aide de la dose d’implantation et de la température de recuit.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2015STRAD006
Type de ressource : Thèse