Note ABES Probing the impact of structural defects on spin dependent tunneling using photons Impact des défauts structurels sur le transport tunnel polarisé en spin caractérisé par excitation optique Spintronique TMR Jonctions tunnels magnétiques Défauts États localisés Photoluminescence Spintronic TMR Magnetic tunnel junctions Defects Localized states Photoluminescence 531.3 538 621.38 Effet tunnel Magnétorésistance Spintronique Photoluminescence L’étude de l’impact des défauts sur les propriétés électriques des semi-conducteurs a joué un rôle crucial dans la révolution des technologies de l’information dans le milieu du 20ème siècle. Jusqu’ici, la course à la miniaturisation a permis de répondre à la demande croissante en termes de puissance de calcul. Cependant, cette stratégie est vouée à rencontrer des limites physiques qu’il ne sera pas possible de surpasser, c’est pourquoi de nouvelles approches sont nécessaire. Dans ce nouveau paradigme de recherche, les dispositifs électroniques à base d’oxydes sont des candidats prometteurs afin de réaliser de nouveaux dispositifs multifonctionnels. L’importance des défauts sur les propriétés nominale des oxydes n’est pas autant reconnue que dans le domaine des semi-conducteurs. Notre projet de recherche tourne autour de deux objectifs principaux, le premier a pour but d’identifier explicitement l’impact de défauts spécifiques sur les propriétés électrique de dispositifs à base d’oxydes. Le second a pour but de tirer avantage des propriétés induites pour les défauts pour des applications optoélectroniques. The study of the impact of defects on the electrical properties of semiconductors played a crucial role in the revolution of information technologies in the middle of the 20th century. Up to now, the race to miniaturization allowed to meet the increasing demand in terms of processing power. However, this strategy is predicted to encounter physical limits impossible to overcome and new approaches are necessary. Within this new research paradigm, oxide based electronic devices are promising candidates to fabricate new multifunctional devices. The importance of defects on the nominal properties of oxides is not acknowledged as much as it is in the field of semiconductors. Our research project revolved around two primary objectives, the first one aimed to explicitly identify the impact of specific defects on the properties of oxide-based electronic devices. The second one aimed to actually take advantage of properties induced by defects for optoelectronic applications. Electronic Thesis or Dissertation Text en PDF 17871843 Université de Strasbourg Strasbourg 2017-12-31 https://theses.hal.science/tel-01468571 application/pdf 17792178 https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2016/HALISDEMIR_Ufuk_2016_ED182.pdf http://www.theses.fr/2016STRAE018/abes https://theses.hal.science/tel-01468571 https://theses.hal.science/tel-01468571 Halisdemir Ufuk 1988-05-27 FR 197907490 40613188 https://theses.fr/2016STRAE018 2016STRAE018 https://doi.org/10.70675/a9998f0ez4362z4f8ezaa7czf533d7d7feb5 2016-11-09 Physique Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Boukari Samy MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 197383734 Turek Philippe MADS_PRESIDENT_DU_JURY 077771796 077771796 Hehn Michel MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 131069632 131069632 Bowen Martin MADS_MEMBRE_DU_JURY_2 078780446 Koster Gertjan MADS_RAPPORTEUR_1 160869501 Thomas Andy MADS_RAPPORTEUR_2 197907636 École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 PH 156500019 Institut de physique et chimie des matériaux (Strasbourg) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 93794 151842973 ddc:530 ddc:620 Boukari Samy Turek Philippe Hehn Michel Bowen Martin Koster Gertjan Thomas Andy École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg) Institut de physique et chimie des matériaux (Strasbourg) PDF 17871843