Note ABES Etude des mécanismes de diffusion dans les alliages HgCdTe pour la détection infrarouge Study of diffusion mechanisms in HgCdTe alloys for infrared detection HgCdTe Modélisation Diffusion Interdiffusion Arsenic Indium HgCdTe Modeling Diffusion Interdiffusion Arsenic Indium 621.38 537.6 Tellurure de mercure et de cadmium Propriétés électroniques Indium Microélectronique Matériaux Semiconducteurs -- Dopage Ces travaux de thèse ont développé l’ensemble des problématiques de diffusion liées à la fabrication de la technologie HgCdTe p/n, avec pour objectif l’obtention d’un modèle numérique permettant la simulation complète de la diode. Nous avons étudié le phénomène d’interdiffusion Hg/Cd, indispensable au processus de passivation du photodétecteur. Dans un milieu monocristallin le coefficient d’interdiffusion est calculé par la loi de Darken qui fait intervenir le facteur thermodynamique, dont nous avons déterminé la variation en température. L’exodiffusion de l’indium, le dopant n, et sa diffusion dans le HgCdTe ont aussi été étudiées. L’arsenic est utilisé comme dopant p et est donc activé en conditions riche-Hg. Nous avons tout d’abord étudié sa diffusion, tout d’abord dans des conditions classiques, puis après son incorporation dans le HgCdTe en présence de défauts hors-équilibre. This thesis work focuses on the modeling of the different diffusion phenomena that occur during the processing steps of the p/n HgCdTe technology. Hg/Cd interdiffusion is essential for the passivation of the HgCdTe and so was addressed. In a monocrystalline material, the interdiffusion coefficient is calculated with the Darken law. It includes the thermodynamic factor which temperature dependence was determined. Indium exodiffusion and diffusion in HgCdTe were also studied. Arsenic is used as a p dopant and so is activated in Hg-rich conditions. Its diffusion was studied firstly in classic conditions, and then after its incorporation in HgCdTe with the influence of out of equilibrium point defects. Electronic Thesis or Dissertation Text fr PDF 7377370 Université de Strasbourg Strasbourg 2018-12-31 text/html http://www.theses.fr/2017STRAD020/document Grenouilloux Thomas 1992-01-18 FR 224326643 21418162 https://theses.fr/2017STRAD020 2017STRAD020 https://doi.org/10.70675/ededbe5dz7749z40fbz98cdz2606ae4d9175 2017-09-13 Physique et technologie des composants Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Mathiot Daniel MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 157421597 Guldner Yves MADS_PRESIDENT_DU_JURY 059197137 Martin Evelyne MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 119721112 Péré-Laperne Nicolas MADS_MEMBRE_DU_JURY_2 132339641 Cristiano Filadelfo MADS_RAPPORTEUR_1 078025923 Patriarche Gilles MADS_RAPPORTEUR_2 085221872 École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 MA 156504863 Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 UMR7357 176969721 ddc:620 ddc:530 Mathiot Daniel Guldner Yves Lampin Evelyne Péré-Laperne Nicolas Cristiano Filadelfo Patriarche Gilles École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg) Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg) PDF 7377370 confidentialité 2017-09-13 2027-10-20 confidentialité 2017-09-13 2027-10-20 confidentialité 2017-09-13 2027-10-20