Étude et modélisation du comportement dynamique du transistor MOS du type UTBB FDSOI pour la conception de circuits integrés analogiques à hautes fréquences et très basse consommation
Langue Anglais
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Auteur : El Ghouli, Salim
Date de soutenance : 22-06-2018

Directeur(s) de thèse : Lallement, Christophe - Sallese, Jean-Michel

Président : Hebrard, Luc
Rapporteur(s) : Maneux, Cristell - Iniguez, Benjamin
Membre(s) du jury : Juge, André

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....)
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Micro et nanoélectronique, optoélectronique
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Analogique et RF, Double Grille, FDSOI, UTBB, Coefficient d’inversion, Efficacité de la transconductance, Efficacité de la transadmittance, Faible puissance, Faible tension, HF, Spectre millimétrique, Gm sur ID, NQS, LNA, LNA-MIXER
Mots-clés :
  • Circuits intégrés
  • Systèmes analogiques
  • Transistors MOSFET
  • Radiofréquences
Résumé : Ce travail de recherche a été principalement motivé par les avantages importants apportés par la technologie UTBB FDSOI aux applications analogiques et RF de faible puissance. L'objectif principal est d'étudier le comportement dynamique du transistor MOSFET du type UTBB FDSOI et de proposer des modèles prédictifs et des recommandations pour la conception de circuits intégrés RF, en mettant un accent particulier sur le régime d'inversion modérée. Après une brève analyse des progrès réalisés au niveau des architectures du transistor MOSFET, un état de l’art de la modélisation du transistor MOSFET UTBB FDSOI est établi. Les principaux effets physiques impliqués dans le transistor à double grille avec une épaisseur du film de 7 nm sont passés en revue, en particulier l’impact de la grille arrière, à l’aide de mesures et de simulations TCAD. La caractéristique gm/ID en basse fréquence et la caractéristique ym/ID proposée pour la haute fréquence sont étudiées et utilisées dans une conception analogique efficace. Enfin, le modèle NQS haute fréquence proposé reproduit les mesures dans toutes les conditions de polarisation y compris l’inversion modérée jusqu’à 110 GHz.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2018STRAD015
Type de ressource : Thèse