Note ABES Croissance et caractérisation de nano-cristaux fonctionnels de Si1-xGex éventuellement dopés dans diverses matrices diélectriques Growth and characterization of functional Si1-xGex nanocrystals eventually doped in various dielectric matrices Nanocristaux Si1-xGex SiO2 SiOxNy Implantation ionique PECVD RBS RAMAN Nanocrystals Si1-xGex SiO2 SiOxNy Ion implantation PECVD RBS RAMAN 537.6 621.38 Semiconducteurs dopés Transistors bipolaires à hétérojonctions Nanocristaux semiconducteurs Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma Au cours de ces dernières années, les nanostructures à base de silicium et de germanium, enfouies dans une matrice diélectrique, ont été largement étudiées en raison de leurs applications potentielles dans la nanoélectronique et l’optoélectronique. Afin de fabriquer des dispositifs de haute performance avec des nanocristaux Si1-xGex, il est nécessaire de connaître et de contrôler leurs propriétés structurelles et électriques, ce qui est le but de ce travail. Pour cela, nous avons utilisé la co-implantation ionique de Si et de Ge avec différentes doses dans des matrices de SiO2 pour synthétiser les NCx de Si1-xGex. Concernant l’influence de la matrice sur les propriétés des NCx, nous avons également utilisé l’implantation ionique de Ge dans des films minces de SiOxNy riches en Si élaborés par PECVD. Enfin, l’effet de la présence des dopants sur les propriétés structurales et électriques des NCx de Si1-xGex a été étudié par la co-implantation des dopants avec le Si et le Ge dans le SiO2. Suite à l'implantation des éléments désirés (Si, Ge et éventuellement le dopant), la formation des NCx est induite par un recuit thermique à 1000 ou 1100°C. Semiconductor nanostructures based on silicon and germanium have attracted enormous interest in the last years because of their potential applications in nanoelectronics and optoelectronics. In order to fabricate high performance devices with Si1-xGex nanocrystals, it is required to know and control their structural and electrical properties which is the aim of our study. For that, we used the ionic co-implantation of Si and Ge of different fluences in SiO2 matrices to synthesize the Si1-xGex NCx. Matrix effect on the properties of Si1-xGex NCx, have been also studied by the implantation of Ge in Si-rich SiOxNy thin films prepared by PECVD. Finally, the effect of the presence of dopants on the structural and electrical properties of Si1-xGex NCx has been studied by the co-implantation of dopants with Si and Ge in SiO2. The formation of NCx is induced by thermal annealing at 1000 or 1100 °C after the implantation of the desired elements (Si, Ge and possibly the dopant). Electronic Thesis or Dissertation Text fr PDF 6996594 Université de Strasbourg Strasbourg 2019-12-31 https://theses.hal.science/tel-02159414 application/pdf 6110995 https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2018/chelouche_abdellatif_2018_ED269.pdf http://www.theses.fr/2018STRAD019/abes https://theses.hal.science/tel-02159414 https://theses.hal.science/tel-02159414 https://theses.hal.science/tel-02159414 Chelouche Abdellatif 1989-05-12 FR 236527835 https://theses.fr/2018STRAD019 2018STRAD019 https://doi.org/10.70675/9a0c052fzf4edz4b70z9ffbz6a6b51b526ab 2018-07-03 Physique et technologie des composants Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Mathiot Daniel MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 157421597 Carradó Adèle MADS_PRESIDENT_DU_JURY 06768873X Carrada Marzia MADS_MEMBRE_DU_JURY_1 071507515 Ferblantier Gérald MADS_MEMBRE_DU_JURY_2 069263647 Rinnert Hervé MADS_RAPPORTEUR_1 094606250 Ben Assayag Gérard MADS_RAPPORTEUR_2 083177841 École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 156504863 Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 176969721 260728 ddc:530 ddc:620 Mathiot Daniel Carradó Adèle Carrada Marzia Ferblantier Gérald Rinnert Hervé Ben Assayag Gérard École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....) Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg) PDF 6996594