Two dimensional materials, nanoparticles and their heterostructures for nanoelectronics and spintronics
Langue Anglais, Français
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse soumise à l'embargo de l'auteur jusqu'au 01/10/2019 (communication intranet).
 
Auteur : Mouafo Notemgnou, Louis Donald
Date de soutenance : 04-03-2019

Directeur(s) de thèse : Dayen, Jean-François

Président : Doudin, Bernard
Rapporteur(s) : Hueso, Luis - Vuillaume, Dominique
Membre(s) du jury : Bernand-Mantel, Anne - Jehl, Xavier - Simon, Laurent

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Institut de physique et chimie des matériaux (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
 
Discipline : Nanophysique
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Transport de charge, Transistor à effet de champ, Nanoparticule coeur-coquille, Blocage de Coulomb, Transistor à électron unique, Effet magnéto-Coulomb, Transport de spin, Graphène, Dichalcogénures de métaux de transition, Hétérostructures de van der Waals, Magnétisme, Magnétorésistance, Pérovskites
Mots-clés :
  • Nanocristaux semiconducteurs
  • Forces de Van der Waals
  • Graphène - Propriétés physico-chimiques
  • Transistors à effet de champ
Résumé : Cette thèse porte sur l’étude du transport de charge et de spin dans les nanostructures 0D, 2D et les hétérostructures 2D-0D de Van der Waals (h-VdW). Les nanocristaux pérovskite de La0.67Sr0.33MnO3 ont révélé des magnétorésistances (MR) exceptionnelles à basse température résultant de l’aimantation de leur coquille indépendamment du coeur ferromagnétique. Les transistors à effet de champ à base de MoSe2 ont permis d’élucider les mécanismes d’injection de charge à l’interface metal/semiconducteur 2D. Une méthode de fabrication des h-VdW adaptés à l’électronique à un électron est rapportée et basée sur la croissance d’amas d’Al auto-organisés à la surface du graphene et du MoS2. La transparence des matériaux 2D au champ électrique permet de moduler efficacement l’état électrique des amas par la tension de grille arrière donnant lieu aux fonctionnalités de logique à un électron. Les dispositifs à base de graphene présentent des MR attribuées aux effets magnéto-Coulomb anisotropiques.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2019STRAE002
Type de ressource : Thèse