Ingénierie des défauts dans les semi-conducteurs 2D : fabrication de dispositifs hybrides multifonctionnels
Langue Anglais
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse confidentielle jusqu'au 30/06/2022.
  • Thèse soumise à l'embargo de l'auteur jusqu'au 30/06/2022 (communication intranet).
 
Auteur : Ippolito, Stefano
Date de soutenance : 13-09-2021

Directeur(s) de thèse : Samorì, Paolo

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Institut de science et d’ingénierie supramoléculaires (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Sciences chimiques (Strasbourg ; 1995-....)
 
Discipline : Chimie physique
Classification : Chimie, minéralogie, cristallographie

Mots-clés libres : Ingénierie des défauts, Traitement en solution, Dichalcogénures de métaux de transition, Dispositifs multifonctionnels, Matériaux hybrides
Mots-clés :
  • Chimie physique et théorique
  • Solutions (chimie)
  • Métaux de transition
  • Matériaux hybrides
Résumé : Ce travail de thèse vise à développer de nouvelles stratégies de fonctionnalisation basées sur des approches d’ingénierie des défauts pour les dichalcogénures de métaux de transition (TMD) traités en solution. Leurs défauts structurels inhérents, principalement les lacunes de soufre (VS) situées aux bords des nanofeuillets, se comportent comme des sites (ré)actifs pour former des systèmes hybrides caractérisés par de nouvelles propriétés et des performances améliorées.D’une part, l’utilisation de molécules dithiolées pour remédier aux VS dans les TMD entraîne la formation de réseaux interconnectés de manière covalente, présentant des caractéristiques uniques et des performances électriques supérieures. En particulier, la fabrication de transistors à couche mince à grille liquide révèle une amélioration de leurs principaux facteurs de mérite d’un ordre de grandeur, conduisant à des dispositifs électriques de pointe.D’autre part, les VS s’avèrent également favoriser la croissance spontanée de nanoparticules (NP) de métaux nobles. En fait, grâce au mécanisme de déplacement galvanique, les bords des nanofeuillets de TMD peuvent être sélectivement décorés avec des Au, Pd et PtNP, ce qui conduit à des matériaux multifonctionnels avec des performances améliorées en électrocatalyse et en détection.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2021STRAF036
Type de ressource : Thèse