Note ABES Fonctionnalisation de transistors à effet de champ à base de dichlacogénures de métaux de transition : vers des dispositifs performants Functionalization of field effect transistors based on transition metal dichalcogenides : towards high-performance devices Dichalcogénures de métaux de transition Transistors à effet de champ Monocouches auto-assemblées Fonctionnalisation moléculaire Ingénierie des contacts vdW Transition metal dichalcogenides Field-effect transistors Self-assembled monolayers Molecular functionalization VdW contact engineering 541 Métaux de transition Transistors à effet de champ Monocouches moléculaires autoassemblées Cette thèse se penche sur l'optimisation des performances et la régulation des transistors à effet de champ (FET) à base de dichalcogénures de métaux de transition (TMD) bidimensionnels (2D) par stratégie de fonctionnalisation. Grâce à cette approche avancée, de nouvelles fonctionnalités sont développées et le contrôle des performances et de la polarité des transistors est réalisé. La fonctionnalisation des semi-conducteurs permet aux TMD 2D d'être prometteurs dans la discrimination des isomères. Grâce à une stratégie d'intégration de van der Waals (vdW), des électrodes de contact supérieur fonctionnalisées par couche moléculaire ou auxiliaire établissent un contact vdW sans épinglage au niveau de Fermi avec des TMD 2D. En modifiant le type moléculaire et la couche auxiliaire, les performances et la polarité du transistor sont modulées. Ces dispositifs ont démontré leur applicabilité en tant que blocs de construction pour les circuits intégrés, y compris les diodes et les onduleurs logiques. Notre stratégie de fonctionnalisation ouvre de nouvelles opportunités pour les applications TMD au-delà de la loi de Moore et des circuits intelligents intégrés. This thesis delves into the performance optimization and regulation of two-dimensional (2D)transition metal dichalcogenides (TMDs)-based field-effect transistors (FETs) by functionalizationstrategy. Through this advanced approach, novel functionalities are developed and control oftransistor performance and polarity is achieved. The functionalization of semiconductors enables 2DTMDs to exhibit promise in isomer discrimination. Through a van der Waals (vdW) integrationstrategy, molecular or auxiliary layer-functionalized top-contact electrodes establish Fermi levelpinning-free vdW contact with 2D TMDs. By altering the molecular type and auxiliary layer, theperformance and polarity of the transistor are modulated. These devices demonstrated applicabilityas building blocks for integrated circuits, including diodes and logic inverters. Our functionalizationstrategy opens up new opportunities for TMDs applications beyond Moore's Law and integratedsmart circuits. Electronic Thesis or Dissertation Text en PDF 9826378 Université de Strasbourg Strasbourg 2023-12-31 https://theses.hal.science/tel-04581358 application/pdf 9501657 https://publication-theses.unistra.fr/public/theses_doctorat/2023/Han_Bin_2023_ED222.pdf http://www.theses.fr/2023STRAF019/abes https://theses.hal.science/tel-04581358 https://theses.hal.science/tel-04581358 https://theses.hal.science/tel-04581358 Han Bin 1992-01-15 FR 272149578 0EFB1U05OR7 21922323 4200003 https://theses.fr/2023STRAF019 2023STRAF019 https://doi.org/10.70675/57166f38zf934z4cc2zb491zf927500607df 2023-06-20 Chimie Strasbourg 131056549 Doctorat Docteur es non oui Samorì Paolo MADS_DIRECTEUR_DE_THESE_1 109288335 Doudin Bernard MADS_PRESIDENT_DU_JURY 149238614 Biscarini Fabio MADS_RAPPORTEUR_1 183695151 Conoci Sabrina MADS_RAPPORTEUR_2 272152870 École doctorale des Sciences chimiques (Strasbourg ; 1995-....) MADS_ECOLE_DOCTORALE_1 222 156504081 Institut de science et d’ingénierie supramoléculaires (Strasbourg) MADS_PARTENAIRE_DE_RECHERCHE_1 207480 157760227 ddc:540 Samorì Paolo Doudin Bernard Biscarini Fabio Conoci Sabrina École doctorale Sciences chimiques (Strasbourg ; 1995-....) Institut de science et d’ingénierie supramoléculaires (Strasbourg) PDF 9826378 confidentialité 2023-06-20 2024-04-01 confidentialité 2023-06-20 2024-04-01 restriction 2023-06-20 2024-04-01 confidentialité 2023-06-20 2024-04-01 confidentialité 2023-06-20 2024-04-01