Ferroélectricité et magnétisme dans les hétérostructures de Van der Waals : de la compréhension fondamentale aux dispositifs pour l'intelligence artificielle et la spintronique
Langue Anglais
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse confidentielle jusqu'au 17/12/2025.
  • Thèse avec 2 versions : seule la version intégrale est proposée ; sur authentification (communication intranet).
 
Auteur : Soliman, Mohamed
Date de soutenance : 17-12-2024

Directeur(s) de thèse : Dayen, Jean-François

Président : Colis, Silviu-Mihail
Rapporteur(s) : Bibies, Manuel - Larrieu, Guilhem
Membre(s) du jury : Matzen, Sylvia

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Institut de physique et chimie des matériaux (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
 
Discipline : Physique de la matière condensée
Classification : Physique, Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Matériaux van der Waals (vdW), Matériaux 2D (graphène, dichalcogénures de métaux de transition/TMDs, ferroélectriques, semi-conducteurs magnétiques), Graphène, CuInP2S6 (CIPS), CrSBr (semi-conducteur magnétique), Spintronique, Magnétorésistance géante (GMR), Informatique neuromorphique, Électronique et dispositifs électroniques, Transistors à effet de champ (MOSFET), Transistor à grille flottante inversée, Transistor neuromorphique photoferroélectrique, Effet ferroélectrique / Ferroélectricité, Conduction spin-charge / Interactions spin-charge, Hétéro-intégration, Synapses artificielles / Neurones électroniques
Mots-clés :
  • Forces de Van der Waals
  • Matériaux 2D - Propriétés magnétiques
  • Matériaux 2D - Propriétés électriques
Résumé : Cette thèse étudie les matériaux bidimensionnels vdW pour des dispositifs transistors et spintroniques en neuromorphique et IA. Elle présente un cadre théorique et trois dispositifs : un IFGFET à haut rapport on /off et double contrôle, un FeFET vdW intégrant une grille CuInP2S6/h-BN et un canal ReSe2 avec un rapport magneficent memory et un transistor magnétique CrSBr à magnétorésistance réglable. Ces résultats montrent le potentiel des matériaux vdW pour des systèmes électroniques compacts et économes en énergie.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2024STRAE032
Type de ressource : Thèse