Contribution à l'étude du cuivre dans le silicium et d'une technique de caractérisation associée
Langue Français
Langue Français
Auteur : Farid, Assia
Date de soutenance : 01-01-2003
Directeur(s) de thèse : Heiser, Thomas
Établissement de soutenance : Université Louis Pasteur (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
Date de soutenance : 01-01-2003
Directeur(s) de thèse : Heiser, Thomas
Établissement de soutenance : Université Louis Pasteur (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
Discipline : Physique
Classification : Physique
Mots-clés libres : Si , Cu , semiconducteur , traitement thermique , four rapid , TID , exo-diffusion , précipitation , dissolution , diffusion , solubilité.
Mots-clés :
Classification : Physique
Mots-clés libres : Si , Cu , semiconducteur , traitement thermique , four rapid , TID , exo-diffusion , précipitation , dissolution , diffusion , solubilité.
Mots-clés :
- Semiconducteurs - Thèses et écrits académiques
- Silicium - Thèses et écrits académiques
Type de contenu : Text
Entrepôt d'origine :
Identifiant : ecrin-ori-285351
Type de ressource : Thèse
Identifiant : ecrin-ori-285351
Type de ressource : Thèse