Nouveaux états du Si dans les multicouches Co/Si
Langue Français
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Auteur : Yaacoub, Nader
Date de soutenance : 09-07-2007

Directeur(s) de thèse : Panissod, Pierre

Établissement de soutenance : Université Louis Pasteur (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
 
Discipline : Physique de la matière condensée
Classification : Physique

Mots-clés libres : Magnétorésistance
Mots-clés :
  • Magnétorésistance - Thèses et écrits académiques
  • Semiconducteurs - Thèses et écrits académiques
  • Puits quantiques - Thèses et écrits académiques
  • Couches minces - Thèses et écrits académiques
  • Magnétisme - Thèses et écrits académiques
  • Résonance magnétique nucléaire - Thèses et écrits académiques
  • Nanotechnologie - Thèses et écrits académiques
Résumé : Nous avons étudié les propriétés structurales et physiques des multicouches Co/Si déposées par pulvérisation cathodique à 90 K dans le but de limiter la diffusion aux interfaces. Nous avons obtenu des multicouches très bien cristallisées quoique polycristallines, formées de très grands grains > 300 nm et un mélange limité par rapport à celui des multicouches déposées à 300 K. Cela nous a permis d'observer des phénomènes physiques nouveaux, originaux et spectaculaires dans ces multicouches : (1) Oscillation du couplage d'échange magnétique en accord avec les calculs ab initio, (2) Oscillation de la résistance de faible à forte et (3) Oscillation de la rugosité de l'interface, en fonction de l'épaisseur de Si. La période des ces oscillations, bien corrélées entre elles, est courte de l'ordre de 0.4 nm soit 2 ML. Cela nous a conduit de proposer une interprétation commune de ces résultats, basé sur le passage périodique au niveau de Fermi d'un état de puits quantique dans la couche de Si.
 
Type de contenu : Text
 
Entrepôt d'origine : Ressource locale
Identifiant : ecrin-ori-293665
Type de ressource : Thèse