Études et modélisation compacte du transitor FinFET
Langue Français
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Auteur : Tang, Mingchun
Date de soutenance : 03-12-2009

Directeur(s) de thèse : Lallement, Christophe


Établissement de soutenance : Université de Strasbourg
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Électronique, microélectronique, optique et lasers, optoélectronique, micro-ondes
Classification : Informatique, Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Transistors MOSFET
Mots-clés :
  • Transistors MOSFET - Thèses et écrits académiques
  • Modèles mathématiques - Thèses et écrits académiques
  • VHDL (langage de description de matériel informatique) - Thèses et écrits académiques
Résumé : Nous proposons un modèle compact du transistor FinFET dédié à la conception de circuits. Le modèle est basé sur le modèle du transistor MOSFET à Double-Grille développé en collaboration avec l'EPFL. Ce modèle repose sur une expression analytique et explicite, simple à maîtriser pour le dimensionnement à la main. La dégradation de la pente sous le seuil, l'effet canal court, l'effet DIBL, la tension de saturation, la modulation de la longueur du canal et les effets quantiques sont bien pris en compte. Ce modèle est validé par des comparaisons avec des caractéristiques ID-VGS, ID-VDS, gm-VGS et gds-VDS obtenues avec le simulateur TCAD de Silvaco. La gamme de validation a été élargie à une longueur minimum du canal de 25 nm, une largeur minimum de 3 nm, une hauteur minimum de silicium de 50 nm et un dopage maximum du silicium de 1017 cm-3. Nous proposons aussi deux méthodes pour développer un modèle dynamique. Ce modèle dynamique n est validé pour l'instant que pour un FinFET avec un canal long. Le modèle est implémenté dans VHDL-AMS et Verilog-A. Les paramètres du modèle sont extraits sous IC-CAP. Avec le jeu de paramètres obtenu, le modèle est capable de correctement simuler les circuits.
 
Type de contenu : Text
 
Entrepôt d'origine : Ressource locale
Identifiant : ecrin-ori-298769
Type de ressource : Thèse