Étude de la diffusion des dopants usuels dans le germanium
Langue Français
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Auteur : Canneaux, Thomas
Date de soutenance : 23-11-2009

Directeur(s) de thèse : Ponpon, Jean-Pierre


Établissement de soutenance : Université de Strasbourg
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Électronique, microélectronique, optique et lasers, optoélectronique, micro-ondes
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : germanium , dopage , diffusion , phosphore , arsenic , antimoine , gallium , indium
Mots-clés :
  • Semiconducteurs - Thèses et écrits académiques
  • Germanium - Thèses et écrits académiques
  • Ions - Thèses et écrits académiques
Résumé : La technologie planar silicium doit aujourd hui faire face à des limites physiques. Pour contourner celles-ci, un des moyens consiste à remplacer le silicium par un autre semi-conducteur dont la mobilité des porteurs est plus élevée. Le germanium est alors un bon candidat. Pour la fabrication de circuits performants, connaître les vitesses de diffusion des dopants dans le matériau est primordial. Dans ce but, ce travail a été consacré à l'étude de la diffusion du gallium, de l'indium, du phosphore, de l'arsenic et de l'antimoine dans le germanium. Nous avons déterminé les coefficients de diffusion de ces dopants à l'aide d'un nouveau modèle permettant de décrire correctement leur déplacement en faisant intervenir la lacune triplement chargée négativement. Les techniques de dopage du germanium différant sensiblement de celles du silicium, nous avons dû adapter les méthodes couramment mises en œuvre au laboratoire. La diffusion dans le germanium s'effectue via les lacunes neutres, doublement et triplement négativement chargées (les deux premières dans un matériau de type P, les deux dernières dans du type N). Ces mécanismes sont assez différents de ceux établis pour le silicium. Nous avons également étudié l'influence des recuits rapides, d'une encapsulation par du SiO2 ou du Si3N4 ainsi que celle des défauts d'implantation. L'encapsulation et les différents types de recuits n influencent pas la diffusion mais la première permet de limiter la perte de dose durant les traitements thermiques.
 
Type de contenu : Text
 
Entrepôt d'origine : Ressource locale
Identifiant : ecrin-ori-298999
Type de ressource : Thèse