Applications du laser à la caracterisation des nanostructures de semiconducteur,contrôle cohérent et dynamique de spin de excitations électroniques élémentaires
Langue Anglais
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Auteur : Gadalla Abdalla, Atef
Date de soutenance : 01-01-2010

Directeur(s) de thèse : Hönerlage, Bernd


Établissement de soutenance : Université de Strasbourg
École doctorale : École doctorale Physique et chimie-physique (Strasbourg ; 1994-....)
 
Discipline : Physique
Classification : Physique

Mots-clés libres : phthalocyanine couches minces , dynamique de relaxation de films de H2PC et de CaPe , GaN/AIGaN puits quantique , dynamique de relaxation de spin des excitons
Mots-clés :
  • Électronique de spin - Thèses et écrits académiques
  • Semiconducteurs organiques - Thèses et écrits académiques
  • Quasi-particules - Thèses et écrits académiques
  • Relaxation, Phénomènes de - Thèses et écrits académiques
Résumé : En utilisant la spectroscopie optique résolue en temps, nous étudions la dynamique des populations ainsi que l'orientation optique des états électroniques excités dans des semiconducteurs sous forme de film minces et de nanostructures. Un premier sujet concerne des matériaux semiconducteurs organiques (Phthalocyanincs) sous forme de couches. Un deuxième travail étudie la dynamique de relaxation de spin des excitons dans un puits quantique (QW) de GaN/AIGaN. Nous appliquons une technique pompe-sonde résolue en temps et spectralement, à l'aide d'une source laser femtoseconde (fs) Ti:Saphir accordable en fréquence. Nous avons mesuré la transmission différentielle (tJT(I)11) en fonction du retard (/) entre la pompe et la sonde pour le Phthalocyanine et le spectre de réflectivité différentielle (tJR(t)/R) pour les deux hélicités possibles de la sonde simultanément pour chaque retard pompe-sonde pour le puits quantique (QW) de GaN/AIGaN.
 
Type de contenu : Text
 
Entrepôt d'origine : Ressource locale
Identifiant : ecrin-ori-300369
Type de ressource : Thèse