Etude des mécanismes de diffusion dans les alliages HgCdTe pour la détection infrarouge
Langue Français
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse confidentielle jusqu'au 20/10/2027.
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Auteur : Grenouilloux, Thomas
Date de soutenance : 13-09-2017

Directeur(s) de thèse : Mathiot, Daniel

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....)
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Physique et technologie des composants
Classification : Sciences de l'ingénieur, Physique

Mots-clés libres : HgCdTe, Modélisation, Diffusion, Interdiffusion, Arsenic, Indium
Mots-clés :
  • Tellurure de mercure et de cadmium - Propriétés électroniques
  • Indium
  • Microélectronique - Matériaux
  • Semiconducteurs -- Dopage
Résumé : Ces travaux de thèse ont développé l’ensemble des problématiques de diffusion liées à la fabrication de la technologie HgCdTe p/n, avec pour objectif l’obtention d’un modèle numérique permettant la simulation complète de la diode. Nous avons étudié le phénomène d’interdiffusion Hg/Cd, indispensable au processus de passivation du photodétecteur. Dans un milieu monocristallin le coefficient d’interdiffusion est calculé par la loi de Darken qui fait intervenir le facteur thermodynamique, dont nous avons déterminé la variation en température. L’exodiffusion de l’indium, le dopant n, et sa diffusion dans le HgCdTe ont aussi été étudiées. L’arsenic est utilisé comme dopant p et est donc activé en conditions riche-Hg. Nous avons tout d’abord étudié sa diffusion, tout d’abord dans des conditions classiques, puis après son incorporation dans le HgCdTe en présence de défauts hors-équilibre.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2017STRAD020
Type de ressource : Thèse