Croissance et caractérisation de nano-cristaux fonctionnels de Si1-xGex éventuellement dopés dans diverses matrices diélectriques
Langue Français
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Auteur : Chelouche, Abdellatif
Date de soutenance : 03-07-2018

Directeur(s) de thèse : Mathiot, Daniel

Président : Carradó, Adèle
Rapporteur(s) : Rinnert, Hervé - Ben Assayag, Gérard
Membre(s) du jury : Carrada, Marzia - Ferblantier, Gérald

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....)
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Physique et technologie des composants
Classification : Physique, Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Nanocristaux, Si1-xGex, SiO2, SiOxNy, Implantation ionique, PECVD, RBS, RAMAN
Mots-clés :
  • Semiconducteurs dopés
  • Transistors bipolaires à hétérojonctions
  • Nanocristaux semiconducteurs
  • Dépôt chimique en phase vapeur activé par plasma
Résumé : Au cours de ces dernières années, les nanostructures à base de silicium et de germanium, enfouies dans une matrice diélectrique, ont été largement étudiées en raison de leurs applications potentielles dans la nanoélectronique et l’optoélectronique. Afin de fabriquer des dispositifs de haute performance avec des nanocristaux Si1-xGex, il est nécessaire de connaître et de contrôler leurs propriétés structurelles et électriques, ce qui est le but de ce travail. Pour cela, nous avons utilisé la co-implantation ionique de Si et de Ge avec différentes doses dans des matrices de SiO2 pour synthétiser les NCx de Si1-xGex. Concernant l’influence de la matrice sur les propriétés des NCx, nous avons également utilisé l’implantation ionique de Ge dans des films minces de SiOxNy riches en Si élaborés par PECVD. Enfin, l’effet de la présence des dopants sur les propriétés structurales et électriques des NCx de Si1-xGex a été étudié par la co-implantation des dopants avec le Si et le Ge dans le SiO2. Suite à l'implantation des éléments désirés (Si, Ge et éventuellement le dopant), la formation des NCx est induite par un recuit thermique à 1000 ou 1100°C.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2018STRAD019
Type de ressource : Thèse