Modélisation de diode à avalanche à photon unique (SPAD) pour le design de pixels d’imageurs intégrés en technologie CMOS avancée
Langue Anglais
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Auteur : Rink, Sven
Date de soutenance : 14-12-2023

Directeur(s) de thèse : Lallement, Christophe - Uhring, Wilfried Patrick

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Laboratoire des sciences de l'ingénieur, de l'informatique et de l'imagerie (Strasbourg ; 2013-....)
École doctorale : École doctorale Mathématiques, sciences de l'information et de l'ingénieur (Strasbourg ; 1997-....)
 
Discipline : Électronique, microélectronique, photonique
Classification : Sciences de l'ingénieur

Mots-clés libres : Diode, SPAD, Modélisation compacte, Avalanche, Ionisation par impact
Mots-clés :
  • Diodes à avalanche - Modèles mathématiques
  • SPAD (système informatique)
  • Capteurs d'images CMOS
Résumé : Les applications des imageurs à base de matrices de pixels utilisant des diodes à avalanche de type SPAD intégrées en technologie CMOS ont connu une forte croissance au cours de la dernière décennie, avec des applications en imagerie et en détection dans divers domaines tels que le biomédical, l'environnement, l'industrie et l'automobile. La modélisation de la diode SPAD dans un environnement de conception microélectronique est nécessaire pour répondre aux besoins des concepteurs d'imageurs CMOS à base de matrices de SPAD. Un modèle distribué basé sur une structure en boucles a été conçu pour simuler le phénomène d'ionisation par impact, au cœur du fonctionnement du dispositif. La validation expérimentale de ce modèle a été réalisée grâce à une structure de test développée conjointement par STMicroelectronics et le laboratoire ICube. Cette validation a permis de calibrer le modèle afin d'obtenir un comportement fidèle au dispositif réel.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2023STRAD043
Type de ressource : Thèse