Fonctionnalisation de transistors à effet de champ à base de dichlacogénures de métaux de transition : vers des dispositifs performants
Langue Anglais
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Modalités de diffusion de la thèse :
  • Thèse confidentielle jusqu'au 01/04/2024.
  • Thèse soumise à l'embargo de l'auteur jusqu'au 01/04/2024 (communication intranet).
 
Auteur : Han, Bin
Date de soutenance : 20-06-2023

Directeur(s) de thèse : Samorì, Paolo

Établissement de soutenance : Strasbourg
Laboratoire : Institut de science et d’ingénierie supramoléculaires (Strasbourg)
École doctorale : École doctorale Sciences chimiques (Strasbourg ; 1995-....)
 
Discipline : Chimie
Classification : Chimie, minéralogie, cristallographie

Mots-clés libres : Dichalcogénures de métaux de transition, Transistors à effet de champ, Monocouches auto-assemblées, Fonctionnalisation moléculaire, Ingénierie des contacts vdW
Mots-clés :
  • Métaux de transition
  • Transistors à effet de champ
  • Monocouches moléculaires autoassemblées
Résumé : Cette thèse se penche sur l'optimisation des performances et la régulation des transistors à effet de champ (FET) à base de dichalcogénures de métaux de transition (TMD) bidimensionnels (2D) par stratégie de fonctionnalisation. Grâce à cette approche avancée, de nouvelles fonctionnalités sont développées et le contrôle des performances et de la polarité des transistors est réalisé. La fonctionnalisation des semi-conducteurs permet aux TMD 2D d'être prometteurs dans la discrimination des isomères. Grâce à une stratégie d'intégration de van der Waals (vdW), des électrodes de contact supérieur fonctionnalisées par couche moléculaire ou auxiliaire établissent un contact vdW sans épinglage au niveau de Fermi avec des TMD 2D. En modifiant le type moléculaire et la couche auxiliaire, les performances et la polarité du transistor sont modulées. Ces dispositifs ont démontré leur applicabilité en tant que blocs de construction pour les circuits intégrés, y compris les diodes et les onduleurs logiques. Notre stratégie de fonctionnalisation ouvre de nouvelles opportunités pour les applications TMD au-delà de la loi de Moore et des circuits intelligents intégrés.
 
Type de contenu : Text
Format : PDF
 
Entrepôt d'origine : STAR : dépôt national des thèses électroniques françaises
Identifiant : 2023STRAF019
Type de ressource : Thèse