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Apport des couches interfaciales à base d'oxyde de zinc déposé par pulvérisation dans les performances des cellules photovoltaïques organiques compatibles avec des substrats flexibles
Description
:
L’exploitation des couches interfaciales à base de d’oxydes métalliques ouvre des perspectives nouvelles dans le domaine des cellules photovoltaïques organiques (PVOs).Cette thèse s’inscrit dans le développement, la caractérisation et l’analyse de couches interfaciales, à base d’oxyde de zinc (ZnO), ...
Mots clés
:
Surfaces -- Propriétés optiques, Effet photovoltaïque, Semiconducteurs organiques, Couches minces semiconductrices, Dispositifs optoélectroniques
Auteur
:
Jouane Youssef
Année de soutenance
:
2012
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Apport des couches interfaciales à base d'oxyde de zinc déposé par pulvérisation dans les performances des cellules photovoltaïques organiques compatibles avec des substrats flexibles
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Approche dynamique de formation d'image et de compensation d'aberrations pour un système de réalité augmentée
Description
:
La réalité augmentée consiste à superposer à l’environnement réel des informations virtuelles générées numériquement. Parmi les systèmes qui permettent de réaliser un tel mélange, nous nous intéressons dans ce travail aux systèmes de visualisation en réalité augmentée liés à la tête de l’utilisateur, ...
Mots clés
:
Modulateurs de lumière, Ondes -- Diffraction, Holographie
Auteur
:
Beuret Marc
Année de soutenance
:
2012
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Approche dynamique de formation d'image et de compensation d'aberrations pour un système de réalité augmentée
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Comportement de quelques impuretés métalliques dans le germanium : une étude par les techniques capacitives DLTS-MCTS-LAPLACE DLTS
Description
:
Ce travail consiste en une tentative de ré-examiner les propriétés électroniques du Fe, Cr et Au au sein de Ge, qui ont déjà été étudiées classiquement par DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy). L'image générale qui en découle est que les métaux de transition dans Ge forment de manière prépon ...
Mots clés
:
Semiconducteurs -- Diffusion des impuretés, Germanium, Diodes à barrière de Schottky, Métaux de transition, Spectroscopie
Auteur
:
Gurimskaya Yana
Année de soutenance
:
2012
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Développement d'outils et de modèles CAO de haut niveau pour la simulation électrothermique de circuits mixtes en technologie 3D
Description
:
Les travaux de cette thèse s’inscrivent dans un projet de grande envergure, le projet 3D-IDEAS, financé par l’ANR. Le but de ce projet est d’établir la chaîne complète de l’intégration de circuits en technologie 3D. Les densités de puissance dans ces circuits sont telles que les problèmes liés à ...
Mots clés
:
Circuits intégrés -- Conception assistée par ordinateur, Modélisation tridimensionnelle, Verilog (langage de description de matériel informatique)
Auteur
:
Krencker Jean-Christophe
Année de soutenance
:
2012
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Etude et modélisation compacte du transistor FinFET ultime
Description
:
Une des principales solutions technologiques liées à la réduction d’échelle de la technologie CMOS est aujourd’hui clairement orientée vers les transistors MOSFET faiblement dopés à multiples grilles. Ceux-ci proposent une meilleure immunité contre les effets canaux courts comparés aux transistors ...
Mots clés
:
Transistors MOSFET, MOS (électronique)
Auteur
:
Chevillon Nicolas
Année de soutenance
:
2012
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Etude et modélisation compacte du transistor FinFET ultime
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Procédés de dopage et de recuit laser pour la réalisation de cellules photovoltaïques au silicium cristallin
Description
:
Cette thèse se propose d’étudier les procédés de dopage et de recuit laser comme outils permettant la réalisation de cellules photovoltaïques au silicium cristallin. Des émetteurs dopés ou recuits par laser sont tout d’abord réalisés à l’aide de trois lasers et de différentes sources dopantes. Les ...
Mots clés
:
Semiconducteurs polycristallins, Semiconducteurs dopés, Effet photovoltaïque, Dépôts physiques, Lasers à semi-conducteur
Auteur
:
Paviet-Salomon Bertrand
Année de soutenance
:
2012
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Procédés de dopage et de recuit laser pour la réalisation de cellules photovoltaïques au silicium cristallin
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Synthèse et caractérisations de matériaux composites à base de nanocristaux de Ge pour des applications optroniques
Description
:
Les nanomatériaux, grâce à leurs propriétés optiques et électroniques, peuvent être une opportunité pour le développement d'une nouvelle génération de cellules photovoltaïques à hauts rendements et bas coût. Les boîtes quantiques sous la forme de nanocristaux semi-conducteurs permettent de réaliser ...
Mots clés
:
Optoélectronique, Nanocristaux semiconducteurs, Points quantiques, Photopiles, Germanium
Auteur
:
Parola Stéphanie
Année de soutenance
:
2012
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Synthèse et caractérisations de matériaux composites à base de nanocristaux de Ge pour des applications optroniques
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Utilisation de copolymères à blocs dans les cellules solaires organiques : morphologie, transport de charges et conversion photovoltaïque
Description
:
Les matériaux les plus répandus dans le domaine du photovoltaïque (PV) organique à base de polymères sont le poly(3-hexylthiophène) régiorégulier (rr-P3HT) et le [6,6]-phenyl-C61-butyric acide methyl ester (PCBM). La couche active est une hétérojonction en volume (BHJ) de nanodomaines interpénétrés ...
Mots clés
:
Semiconducteurs organiques, Copolymères, Effet photovoltaïque, Dispositifs optoélectroniques, Autoassemblage
Auteur
:
Gernigon Véronique
Année de soutenance
:
2012
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Utilisation de copolymères à blocs dans les cellules solaires organiques : morphologie, transport de charges et conversion photovoltaïque
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